如今，对于芯片愈来愈重视，半导体材料也是在不断更新，新能源时代，对于高性能半导体材料更为迫切，碳化硅，作为三代半导体材料，对于材料的碳硫检测，选用红外碳硫仪作为检测方法。

三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比，其优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。

SiC具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积。碳化硅的禁带宽度大约为3.2eV，硅的宽带宽度为1.12eV，大约为碳化硅禁带宽度的1/3，这也就说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。

碳化硅在5G基站中的应用

此外，碳化硅的热导率大幅高于其他材料，从而使得碳化硅器件可在较高的温度下运行，其工作温度高达600℃，而硅器件的极限温度仅为300℃；另一方面，高热导率有助于器件快速降温，从而下游企业可简化器件终端的冷却系统，使得器件轻量化。

同时，碳化硅具有较高的能量转换效率，且不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍，相同规格的碳化硅基MOSFET总能量损耗仅为硅基IGBT 的 30%。碳化硅材料将在高温、高频、高频领域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网领域发挥重要作用。

红外碳硫仪作为检测材料中碳硫元素的高效方法，被广泛应用，对于碳化硅材料中的硫元素可做高精度分析。