分光晶体LiF200分辨率31，适用于波长色散领域。

波长色散-分光晶体LiF220分辨率22，，适用于波长色散领域。

Si(Ii)探测器分辨率140，，适用于150keV领域。

高纯Ge探测器分辨率150，适用于1~120keV领域。

Si漂移探测器(SDD)分辨率140，适用于二维阵列领域。

温差电冷型半导体探测器(SiPIN)分辨率149，适用于2~25keV领域。

电耦合阵列探测器(CDD)分辨率130，适用于二维阵列领域。

超导跃变徽热量感应器(TES)分辨率3.9，适用于实验新型领域。

超导隧道结探测器(STJ)分辨率12，适用于实验新型领域。

CdZnTe探测器分辨率280，适用于2~100keV领域。

低能Ge探测器分辨率522，适用于5~1000领域。

四叶花瓣型探测器分辨率1050，适用于高能粒子领域。

能量色散荧光光谱仪

尽管波长色散X射线光谱仪由于使用分光晶体而达到约12eV的分辨率，但最新的能量探测器已可达到4eV，在分辨率方面已取得优势。目前许多厂家已推出了成功的能量色散X射线光谱仪，波长色散与能量色散在X射线光谱仪中的份额已发生明显变化，能量色散X射线光谱仪的比重显著增加。

事实上，如果新型能量探测器在计数率和制造工艺的稳定性方面能取得突破，则能量色散X射线光谱仪有可能在未来逐步取代复杂的波长色散X射线光谐仪系统，成为X射线荧光光谱分析领域的主流。